国内首条8英寸碳化硅晶圆量产线在无锡正式投产 年产能36万片

　　本网讯 2026年4月10日，国内首条完全自主知识产权的8英寸碳化硅晶圆量产线在无锡高新技术产业开发区正式投产，该项目由中芯集成与国内第三代半导体龙头企业联合投资建设，总投资127亿元，核心设备国产化率达92%，年产能达36万片8英寸碳化硅晶圆，可满足1200万辆新能源汽车的功率芯片生产需求，产品良率达91.5%，处于全球领先水平。

　　据介绍，碳化硅是第三代半导体的核心材料，相比传统硅基材料，碳化硅功率器件可降低新能源汽车、光伏逆变器等领域的能耗20%以上，此前全球8英寸碳化硅晶圆产能主要被海外企业垄断，国内企业长期依赖进口。该量产线投产后，国内8英寸碳化硅晶圆采购成本将较进口产品降低42%，预计每年可减少相关领域进口支出超150亿元，有效填补国内第三代半导体产业的核心产能缺口。

　　截至目前，该项目已与比亚迪、宁德时代、阳光电源等27家国内下游企业签订了长期供货协议，2026年产能已全部被预订完毕，预计2027年产能将进一步提升至72万片，可覆盖国内60%以上的碳化硅晶圆市场需求。该项目的投产还将带动上下游衬底、外延、器件封装等120家相关企业集聚发展，预计2026年无锡第三代半导体产业集群产值将突破200亿元，成为国内最大的第三代半导体产业基地。

　　工信部电子信息司相关负责人表示，该量产线的投产标志着我国第三代半导体产业实现了从材料、设备到制造的全链条自主可控，对保障我国新能源、集成电路等关键领域供应链安全具有重要意义。下一阶段工信部将加大对第三代半导体产业的政策支持力度，鼓励企业加大研发投入，加快6英寸、8英寸碳化硅器件的规模化应用，推动我国第三代半导体产业整体竞争力进入全球第一梯队。